产品展示
一般而言，高的发射器辐射强度Ee与高的接收器集电极电流IC装配组成的光电传感器，其输出电流ICON也较高;反之亦然。但由于工艺、测试及制造过程中的变差，例外的情况也不少。塑料外壳注塑过程中引起的尺寸变差、传感器组装过程中引起的变差、发射器辐射强度在空间分布的变化以及测试过程中造成的误差等。
(1)外壳尺寸变差。槽型和反射型光电传感器绝大多数的外壳采用塑料外壳，模具加工制造、注塑件的注塑以及冷却过程都会引起同一尺寸在不同塑料外壳之间的变化，这包括槽型光电传感器发射器与接收器前槽缝宽度的变化、外壳上用于安装发射器与接收器部分之间距离的变化，反射型光电传感器发射器与接收器前孔尺寸的改变、外壳上用于安装发射器与接收器部分之间角度的变化等。这些尺寸的变化将引起传感器输出电流的变化。
(2)装配过程中产生的变差。槽型和反射型光电传感器中发射器、接收器与外壳间的装配与固定需要通过一定的工艺来完成，如槽型光电传感器，对一些外壳材料可通过热压的方式将发射器和接收器与外壳固定。在装配过程中，对槽式光电传感器，发射器透镜的光轴并不能保证与接收器透镜光轴在同一条线上，一些产品偏离设计要求小一些，而另一些则偏离大一些;同样，对反射型光电传感器，发射器透镜的光轴与接收器透镜光轴的交点也不可能都如设计所要求正好位于反射物的表面上，有些产品的交点靠前，而另一些则可能靠后一些。这些装配过程中的变差也会引起传感器输出电流的变化。
(3)发射器辐射强度及其空间分布上的变化晶片位置对发射器辐射强度及在空间分布有影响。在设计条件下，晶片位于发射器透镜的中心线上。但在发射器的生产制造过程中，固晶(die_attach)和封胶(encapsulation)这两道工序都可能使晶片偏离中心线，而封胶过程造成的偏离一般会更大。图3为同一晶圆(wafer)不同批次(lot)发射器辐射强度的分布。由于发射器辐射强度的测试与发射器在光电传感器中的使用条件一般并不相同，辐射强度在空间分布的变化有可能导致在相同条件下，装配测试得到的高辐射强度发射器的光电传感器，其输出电流反而比装配测试得到的低辐射强度发射器的光电传感器低。另外，通常情况下用于填充反射杯和覆盖晶片的硅胶的折射率与封胶用的环氧树脂(epoxy)的折射率十分接近，故硅胶与环氧树脂交界面的形状对发射器的辐射强度分布的影响很小。但若两者有一定差别，则交界面的形状会对发射器的辐射强度分布产生影响，这种情况下控制点胶工序中所用硅胶的量相同或相近十分重要，以便使不同发射器硅胶与环氧树脂交界面的形状保持一致，避免由此引起发射器辐射强度在空间分布的变化。
